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產品技術

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碳化硅長晶設備

所屬分類:

產品概述

卓遠半導體的物理氣相傳輸(PVT)系統是專為碳化硅晶體生長而設計。基本系統設計是基于線圏感應加熱概念,可以生長直徑 6/8英寸的晶錠。
立即聯系

碳化硅長晶設備


Intelligent PVT SiC System (IPS)系列SiC晶體生長系統是實現高質量SiC晶體生長、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業設備。廣泛應用于SiC晶體生長、原料合成、晶體熱處理領域。

 

產品優勢

 

 

專為電力電子應用而設計

-適用于電力電子應用領域,自動化程度高,適合大批量生產

-占用空間小,布局緊湊

-Fab管理軟件解決方案


低耗的線圈設計

-低功耗(穩定控制在約2200°C 12KW)

 

優秀的安全概念

-CE符合性

-不同級別的系統安全組件,確保安全操作

-質量測量和擴展的文檔


智能控制系統

- iGOS全自動晶體生長程序:將圖形化可編程軟件和C+視覺軟件整合在一起實現多種制程精確定制,將某些特定的工序優化壓縮,從而提高效率。


智能自檢系統

- 業內首創的PIM 自檢系統 (Pre-inspection Model):這是一個生產流程前的系統檢查,避免線路或者相關器件在生產過程中出現故障從而延誤長晶周期的情況,有效的避免了不必要的制程時間浪費。


成品品質高

成品率屬于國內領先、國際一流水平

-微管缺陷密度<1個/cm2

-單晶片電阻率達到0.015-0.028Ωcm(符合國際標準)


 

技術參數

序號

項目

內容

規格/參數

01

腔體

工作壓力

≈1-900mbar

02

腔體

工作溫度

最高2600°C

03

電源能耗

功率

最大60KW

04

電源能耗

頻率

6-12 kHz

05

 

尺寸

2000(W)*1200(D)*2,800(H)mm

06

 

重量

1,300kg (帶控制柜2000kg)

關鍵詞:

PVT

物理氣相傳輸法

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