產品技術
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碳化硅襯底片
產品概述
碳化硅襯底片
碳化硅襯底片是支撐電子電力行業不可或缺的重要材料，具有高出傳統硅數倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導率、耐高溫等優良特性，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應用領域和航天、軍工、核能等極端環境應用有著不可替代的優勢。
技術參數
*N-Type & High purity SiC Wafer
|
序號 |
性質 |
4H碳化硅襯底 |
6H碳化硅襯底 |
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01 |
直徑 |
100+0/-0.5mm |
150±0.2mm |
|
02 |
厚度 |
350±25um |
350±25um |
|
03 |
電阻率 |
0.015～0.025Ω.cm |
0.015～0.025Ω.cm |
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04 |
主定位邊方向 |
{10-10}±5° |
{10-10}±5° |
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05 |
主定位邊長度 |
32.5±2.0mm |
47.5±2.0mm |
|
06 |
局部厚度變化 |
≤4um |
≤5um |
|
07 |
總厚度變化 |
≤10um |
≤15um |
|
08 |
彎曲度 |
≤25um |
≤40um |
|
09 |
翹曲度 |
≤35um |
≤60um |
|
10 |
表面粗糙度 |
Ra<0.5nm |
Ra<0.5nm |
|
11 |
劃痕 |
None |
None |
|
12 |
崩邊 |
None |
None |
|
13 |
多晶 |
None |
None |
|
14 |
六方空洞 |
Cumulative area≤0.05% |
Cumulative area≤0.05% |
|
15 |
表面污染物 |
None |
None |
碳化硅襯底片
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