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產(chǎn)品技術(shù)

產(chǎn)品技術(shù)

Products

碳化硅晶錠

產(chǎn)品概述

卓遠半導體采用PVT法生長的碳化硅晶錠,增加了對原料進行預(yù)處理工藝技術(shù),提高了原料的純度和密度,減少了晶錠中可能出現(xiàn)的缺陷。
立即聯(lián)系

碳化硅晶錠


碳化硅晶錠經(jīng)過切割、拋光等工藝,加工成單晶襯底材料,可廣泛應(yīng)用于高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗福射、微波性等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境,具有不可替代的優(yōu)勢。

 

技術(shù)參數(shù)

序號

性質(zhì)

4H晶錠

6H晶錠

01

晶格參數(shù)

a=3.076
C=10.053

a=3.073
C=15.117

02

疊層順序

ABCB

ABCACB

03

微管缺陷密度

3.21

3.21

04

摩氏硬度

~9.2

~9.2

05

熱膨脹系數(shù)

4-5*10-6

4-5*10-6

06

折射率@750nm

no = 2.61
ne = 2.66

no = 2.60
ne = 2.65

07

介電常數(shù)

c~9.66

c~9.66

08

摻雜類型

N型或半絕緣型

N型或半絕緣型

09

熱導率(w/cm-k@298k)
(N型,0.02 ohm-cm)

a~4.2
c~3.7

 

10

熱導率(w/cm-k@298k)
(半絕緣型)

a~4.9
c~3.9

a~4.6
c~3.2

11

帶隙

3.23

3.02

12

分解電場

3-5*106

3-5*106

13

飽和漂移速度

2.0*105

2.0*105

*還有其他尺寸(2、3英寸,厚度5-10mm或10-15mm)可供選擇,也可根據(jù)客戶要求定制 

關(guān)鍵詞:

碳化硅晶錠

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暫無數(shù)據(jù)

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