產品技術
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碳化硅外延片
產品概述
碳化硅外延片
碳化硅外延工藝是半導體產業中的關鍵技術,以碳化硅單晶作為襯底生長的外延片主要用于各種分立器件的制作,如肖特基二極管、MOSFET、JEET、BJT、IGBT、晶閘管等。這些器件廣泛應用于光伏逆變器、混合電動汽車、太陽能和風能發電、UPS、馬達控制、軌道機車、輪船和智能電網等系統領域。
技術參數
*100mm/150mm SiC Epi Wafer
序號 |
規格/參數 |
4H外延 |
6H外延 |
01 |
厚度(um) |
11 |
~11 |
02 |
厚度范圍 |
≤7% |
≤8% |
03 |
摻雜類型 |
N型或半絕緣型 |
N型或半絕緣型 |
04 |
摻雜水平(/cm3) |
6E15~8E15 |
6E15~8E15 |
05 |
摻雜范圍 |
≤13% |
≤13% |
06 |
缺陷密度(/cm3) |
≤1.3 |
≤1.3 |
07 |
BPD 密度(/cm2) |
≤0.1 |
≤0.1 |
08 |
表面粗糙度(nm) |
Ra≤0.3 |
Ra≤0.3 |
*還有其他尺寸(如直徑76.2mm、125mm)可供選擇,也可根據客戶要求定制
碳化硅外延片
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服務熱線
江蘇卓遠半導體有限公司
地 址:江蘇省如皋市電信東一路6號
聯系人:奚女士(人力資源部)
電 話:18112296722
郵 箱:hr@zorrun.com
聯系人:孫經理(營銷中心)
電 話:18609881815(微信同號)
郵 箱:sunxu@zorrun.com
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