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碳化硅外延片

產品概述

卓遠半導體生產100mm/150mm碳化硅外延片,具有極佳的均勻性,外延厚度最高可達250um。針對不同規格要求,我們提供一套完整的碳化硅材料外延解決方案。
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碳化硅外延片


碳化硅外延工藝是半導體產業中的關鍵技術,以碳化硅單晶作為襯底生長的外延片主要用于各種分立器件的制作,如肖特基二極管、MOSFET、JEET、BJT、IGBT、晶閘管等。這些器件廣泛應用于光伏逆變器、混合電動汽車、太陽能和風能發電、UPS、馬達控制、軌道機車、輪船和智能電網等系統領域。

 

技術參數

*100mm/150mm SiC Epi Wafer

序號

規格/參數

4H外延

6H外延

01

厚度(um)

11

~11

02

厚度范圍

≤7%

≤8%

03

摻雜類型

N型或半絕緣型

N型或半絕緣型

04

摻雜水平(/cm3)

6E15~8E15

6E15~8E15

05

摻雜范圍

≤13%

≤13%

06

缺陷密度(/cm3)

≤1.3

≤1.3

07

BPD 密度(/cm2)

≤0.1

≤0.1

08

表面粗糙度(nm)

Ra≤0.3

Ra≤0.3

*還有其他尺寸(如直徑76.2mm、125mm)可供選擇,也可根據客戶要求定制 

關鍵詞:

碳化硅外延片

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